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NP88N04KUG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZK)
No plating
10.0 ±0.3
7.88 MIN.
4.45 ±0.2
1.3 ±0.2
4
0.025 to
0.25
0 . 5±
0 to
1
2 .5 4
2 3
0.75 ±0.2
0 . 2
8?
0.25
1: Gate
2: Drain
3: Source
4: Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
6
Data Sheet D16855EJ1V0DS
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